晶間腐蝕試驗(yàn)檢測(cè)

晶間腐蝕試驗(yàn)檢測(cè)

晶粒間界是結(jié)晶方向不同的晶粒間紊亂錯(cuò)合的界域，因而，它們是金屬中各溶質(zhì)元素偏析或金屬化合物沉淀析出的有利區(qū)域。在某些腐蝕介質(zhì)中，晶粒間可能先行被腐蝕。這種沿著材料晶粒間界先行發(fā)生腐蝕，使晶粒之間喪失結(jié)合力的局部破壞現(xiàn)象，稱為晶間腐蝕。特點(diǎn)是金屬的外形尺寸幾乎不變,大多數(shù)仍保持金屬光澤，但金屬的強(qiáng)度和延性下降，冷彎后表面出現(xiàn)裂縫，失去金屬聲，作斷面金相檢查時(shí)，可發(fā)現(xiàn)晶界或毗鄰區(qū)域發(fā)生局部腐蝕，甚至晶粒脫落，腐蝕沿晶界發(fā)展推進(jìn)較為均勻。

晶間腐蝕:金屬晶界區(qū)域的溶解速度遠(yuǎn)大于晶粒本體的溶解速度時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生晶間腐蝕，產(chǎn)生原因主要是金屬晶界區(qū)的物質(zhì)同晶粒本體的電化學(xué)性質(zhì)有差異(外在要具有適當(dāng)?shù)慕橘|(zhì)在該質(zhì)條件下足以顯示出晶界物質(zhì)同晶粒本體之間的電化學(xué)性質(zhì)差異，而這種差異引起不等速溶解)。當(dāng)固溶處理后的奧氏體不銹在500~ 850溫度范圍內(nèi)加熱時(shí)過飽和的碳就要全部或部分地從奧氏體中析出，形成鉻地碳化物，分布在晶界上，析出的碳化鉻的含鉻量比奧氏體基體的含鉻量高得多，含鉻量這樣高的碳化晶界析出必然使碳化物附近的晶界區(qū)貧鉻，形成貧鉻區(qū)，貧鉻區(qū)的電解密度比晶粒本體溶解電解密度大很多，從而使貧鉻區(qū)優(yōu)先溶解，產(chǎn)生晶間腐蝕。

晶間腐蝕試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

 

涉及測(cè)試：晶間腐蝕試驗(yàn)